Elaboration de Couches de Tin Par D p t Chimique En Phase Gazeuse

Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD ŕ partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogčne (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression ŕ chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramčtres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothčses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramčtres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramčtres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.